RDN100N20

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निर्माता भाग

RDN100N20

उत्पादक
ROHM Semiconductor
विवरण
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
1000
डेटाशीट ऑनलाइन
RDN100N20 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Bulk
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):200 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:10A (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:360mOhm @ 5A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 1mA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:30 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±30V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:543 pF @ 10 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):35W (Tc)
  • परिचालन तापमान:150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-220FN
  • पैकेज / केस:TO-220-3 Full Pack
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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