NTHS2101PT1G

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निर्माता भाग

NTHS2101PT1G

उत्पादक
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
600000
डेटाशीट ऑनलाइन
NTHS2101PT1G PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:P-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):8 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:5.4A (Tj)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):1.8V, 4.5V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:25mOhm @ 5.4A, 4.5V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:30 nC @ 4.5 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±8V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:2400 pF @ 6.4 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):1.3W (Ta)
  • परिचालन तापमान:-
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:ChipFET™
  • पैकेज / केस:8-SMD, Flat Lead
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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