Name: VS-GB100TH120N
Brand: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
SKU: VS-GB100TH120N
Rating: 5.0 (99 reviews)

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निर्माता भाग: VS-GB100TH120N

उत्पादक: Vishay General Semiconductor – Diodes Division

विवरण: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK

श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद

परिवार: ट्रांजिस्टर - आईजीबीटी - मॉड्यूल

श्रृंखला: -

स्टॉक में: 0

डेटाशीट ऑनलाइन: VS-GB100TH120N PDF

VS-GB100TH120N सूचना

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श्रृंखला:-
पैकेज:Bulk
भाग की स्थिति:Obsolete
आईजीबीटी प्रकार:-
विन्यास:Half Bridge
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):200 A
शक्ति - अधिकतम:833 W
vce(on) (अधिकतम) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 100A

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):5 mA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) @ vce:8.58 nF @ 25 V
इनपुट:Standard
एनटीसी थर्मिस्टर:No
परिचालन तापमान:150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
पैकेज / केस:Double INT-A-PAK (3 + 4)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Double INT-A-PAK

शिपिंग	प्रसव अवधि	स्टॉक में पुर्जों के लिए, ऑर्डर 3 दिनों में शिप होने का अनुमान है। हम रविवार को छोड़कर दिन में एक बार शाम करीब 5 बजे ऑर्डर शिप करते हैं। एक बार भेज दिए जाने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय आपके द्वारा चुने गए नीचे दिए गए कोरियर पर निर्भर करता है। डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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	शिपिंग विकल्प	हम डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ एक्सप्रेस, और पंजीकृत एयर मेल अंतरराष्ट्रीय शिपिंग प्रदान करते हैं।
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