VQ1001P-2

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निर्माता भाग

VQ1001P-2

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
श्रृंखला
-
स्टॉक में
20000
डेटाशीट ऑनलाइन
VQ1001P-2 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:4 N-Channel
  • फेट फीचर:Logic Level Gate
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):30V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:830mA
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:1.75Ohm @ 200mA, 5V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.5V @ 1mA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:-
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:110pF @ 15V
  • शक्ति - अधिकतम:2W
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • पैकेज / केस:-
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:14-DIP
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
शिपिंग विकल्प हम डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ एक्सप्रेस, और पंजीकृत एयर मेल अंतरराष्ट्रीय शिपिंग प्रदान करते हैं।
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