SI1025X-T1-E3

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निर्माता भाग

SI1025X-T1-E3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
श्रृंखला
-
स्टॉक में
18409
डेटाशीट ऑनलाइन
SI1025X-T1-E3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:2 P-Channel (Dual)
  • फेट फीचर:Logic Level Gate
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):60V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:190mA
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:4Ohm @ 500mA, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:1.7nC @ 15V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:23pF @ 25V
  • शक्ति - अधिकतम:250mW
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • पैकेज / केस:SOT-563, SOT-666
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SC-89-6
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
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