BTS282Z E3180A

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निर्माता भाग

BTS282Z E3180A

उत्पादक
IR (Infineon Technologies)
विवरण
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
7768
डेटाशीट ऑनलाइन
BTS282Z E3180A PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TEMPFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):49 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:80A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):4.5V, 10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:6.5mOhm @ 36A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2V @ 240µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:232 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±20V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:4800 pF @ 25 V
  • फेट फीचर:Temperature Sensing Diode
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):300W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-TO220-7-180
  • पैकेज / केस:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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