2N7635-GA

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निर्माता भाग

2N7635-GA

उत्पादक
GeneSiC Semiconductor
विवरण
TRANS SJT 650V 4A TO257
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
0
डेटाशीट ऑनलाइन
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जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Bulk
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:-
  • प्रौद्योगिकी:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):650 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:4A (Tc) (165°C)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):-
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:415mOhm @ 4A
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:-
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:-
  • वीजीएस (अधिकतम):-
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:324 pF @ 35 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):47W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-257
  • पैकेज / केस:TO-257-3
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फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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