SI1303DL-T1-E3

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निर्माता भाग

SI1303DL-T1-E3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
20000
डेटाशीट ऑनलाइन
SI1303DL-T1-E3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:P-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):20 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:670mA (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):2.5V, 4.5V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:430mOhm @ 1A, 4.5V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.4V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:2.2 nC @ 4.5 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±12V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:-
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):290mW (Ta)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SC-70-3
  • पैकेज / केस:SC-70, SOT-323
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
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