FPF2C110BI07AS2

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निर्माता भाग

FPF2C110BI07AS2

उत्पादक
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - आईजीबीटी - मॉड्यूल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
0
डेटाशीट ऑनलाइन
FPF2C110BI07AS2 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tray
  • भाग की स्थिति:Active
  • आईजीबीटी प्रकार:-
  • विन्यास:Half Bridge
  • वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):650 V
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):40 A
  • शक्ति - अधिकतम:300 W
  • vce(on) (अधिकतम) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 40A
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):250 µA
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) @ vce:-
  • इनपुट:Standard
  • एनटीसी थर्मिस्टर:Yes
  • परिचालन तापमान:-40°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • पैकेज / केस:30-DIP Module
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:F2
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डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
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