RN2105MFV,L3F(CT

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निर्माता भाग

RN2105MFV,L3F(CT

उत्पादक
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (bjt) - एकल, पूर्व-पक्षपाती
श्रृंखला
-
स्टॉक में
7600
डेटाशीट ऑनलाइन
-
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • ट्रांजिस्टर प्रकार:PNP - Pre-Biased
  • वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):100 mA
  • वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):50 V
  • रोकनेवाला - आधार (r1):2.2 kOhms
  • रोकनेवाला - उत्सर्जक आधार (r2):47 kOhms
  • डीसी वर्तमान लाभ (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई:80 @ 10mA, 5V
  • vce संतृप्ति (अधिकतम) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
  • वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):500nA
  • आवृत्ति - संक्रमण:250 MHz
  • शक्ति - अधिकतम:150 mW
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • पैकेज / केस:SOT-723
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:VESM
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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