SI1967DH-T1-GE3

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निर्माता भाग

SI1967DH-T1-GE3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
श्रृंखला
-
स्टॉक में
16800
डेटाशीट ऑनलाइन
SI1967DH-T1-GE3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:2 P-Channel (Dual)
  • फेट फीचर:Logic Level Gate
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):20V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:1.3A
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:490mOhm @ 910mA, 4.5V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:4nC @ 8V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:110pF @ 10V
  • शक्ति - अधिकतम:1.25W
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • पैकेज / केस:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SC-70-6 (SOT-363)
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
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फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
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