SI7938DP-T1-GE3

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निर्माता भाग

SI7938DP-T1-GE3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सरणियाँ
श्रृंखला
-
स्टॉक में
10000
डेटाशीट ऑनलाइन
SI7938DP-T1-GE3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:2 N-Channel (Dual)
  • फेट फीचर:Standard
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):40V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:60A
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:5.8mOhm @ 18.5A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:65nC @ 10V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:2300pF @ 20V
  • शक्ति - अधिकतम:46W
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • पैकेज / केस:PowerPAK® SO-8 Dual
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® SO-8 Dual
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
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पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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