Name: 2SK3666-2-TB-E
Brand: Rochester Electronics
SKU: 2SK3666-2-TB-E
Rating: 5.0 (99 reviews)

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निर्माता भाग: 2SK3666-2-TB-E

उत्पादक: Rochester Electronics

विवरण: N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET F

श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद

परिवार: ट्रांजिस्टर - jfets

श्रृंखला: -

स्टॉक में: 0

डेटाशीट ऑनलाइन: 2SK3666-2-TB-E PDF

2SK3666-2-TB-E सूचना

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पैकेज:Bulk
भाग की स्थिति:Active
फेट टाइप:-
वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी (बीआर) जीएसएस):-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):-
वर्तमान - नाली (आईडीएस) @ वीडीएस (वीजीएस = 0):-
वर्तमान नाली (आईडी) - अधिकतम:-

वोल्टेज - कटऑफ (vgs off) @ id:-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:-
प्रतिरोध - आरडीएस (चालू):-
शक्ति - अधिकतम:-
परिचालन तापमान:-
माउन्टिंग का प्रकार:-
पैकेज / केस:-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:-

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