MBR300200CT

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निर्माता भाग

MBR300200CT

उत्पादक
GeneSiC Semiconductor
विवरण
DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
श्रृंखला
-
स्टॉक में
0
डेटाशीट ऑनलाइन
MBR300200CT PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Bulk
  • भाग की स्थिति:Active
  • डायोड विन्यास:1 Pair Common Cathode
  • डायोड प्रकार:Schottky
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):200 V
  • करंट - औसत रेक्टिफाइड (io) (प्रति डायोड):150A
  • वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ if:920 mV @ 150 A
  • स्पीड:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):-
  • करंट - रिवर्स लीकेज @ vr:3 mA @ 200 V
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-40°C ~ 150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार:Chassis Mount
  • पैकेज / केस:Twin Tower
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Twin Tower
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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