UJ3D06508TS

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निर्माता भाग

UJ3D06508TS

उत्पादक
UnitedSiC
विवरण
650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
994
डेटाशीट ऑनलाइन
-
जाँच करना
  • श्रृंखला:Gen-III
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):650 V
  • वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):8A (DC)
  • वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ if:1.7 V @ 8 A
  • स्पीड:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):0 ns
  • करंट - रिवर्स लीकेज @ vr:50 µA @ 650 V
  • समाई @ वीआर, एफ:250pF @ 1V, 1MHz
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • पैकेज / केस:TO-220-2
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-220-2
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 175°C
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
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