WNSC201200WQ

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निर्माता भाग

WNSC201200WQ

उत्पादक
WeEn Semiconductors Co., Ltd
विवरण
SILICON CARBIDE POWER DIODE
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
1179
डेटाशीट ऑनलाइन
-
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • डायोड प्रकार:Silicon Carbide Schottky
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):1200 V
  • वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):20A
  • वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ if:1.6 V @ 20 A
  • स्पीड:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):0 ns
  • करंट - रिवर्स लीकेज @ vr:220 µA @ 1200 V
  • समाई @ वीआर, एफ:1.02nF @ 1V, 1MHz
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • पैकेज / केस:TO-247-2
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247-2
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:175°C (Max)
शिपिंग प्रसव अवधि स्टॉक में पुर्जों के लिए, ऑर्डर 3 दिनों में शिप होने का अनुमान है।
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
शिपिंग विकल्प हम डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ एक्सप्रेस, और पंजीकृत एयर मेल अंतरराष्ट्रीय शिपिंग प्रदान करते हैं।
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