1N4150W-E3-18

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निर्माता भाग

1N4150W-E3-18

उत्पादक
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
विवरण
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
5460
डेटाशीट ऑनलाइन
1N4150W-E3-18 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • डायोड प्रकार:Standard
  • वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):50 V
  • वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):200mA
  • वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ if:1 V @ 200 mA
  • स्पीड:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • रिवर्स रिकवरी टाइम (trr):4 ns
  • करंट - रिवर्स लीकेज @ vr:100 nA @ 50 V
  • समाई @ वीआर, एफ:2.5pF @ 0V, 1MHz
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • पैकेज / केस:SOD-123
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SOD-123
  • ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-55°C ~ 150°C
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डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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