TJ200F04M3L,LXHQ

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निर्माता भाग

TJ200F04M3L,LXHQ

उत्पादक
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण
MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
1000000
डेटाशीट ऑनलाइन
-
जाँच करना
  • श्रृंखला:U-MOSVI
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:P-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):40 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:200A (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):6V, 10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:1.8mOhm @ 100A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3V @ 1mA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:460 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):+10V, -20V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:1280 pF @ 10 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):375W (Tc)
  • परिचालन तापमान:175°C
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-220SM(W)
  • पैकेज / केस:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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