TPH6R30ANL,L1Q

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निर्माता भाग

TPH6R30ANL,L1Q

उत्पादक
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण
MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
50000
डेटाशीट ऑनलाइन
TPH6R30ANL,L1Q PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:U-MOSVIII-H
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):100 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:66A (Ta), 45A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):4.5V, 10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:6.3mOhm @ 22.5A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.5V @ 500µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:55 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±20V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:4300 pF @ 50 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):2.5W (Ta), 54W (Tc)
  • परिचालन तापमान:150°C
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SOP Advance (5x5)
  • पैकेज / केस:8-PowerVDFN
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
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