SQ3419AEEV-T1_GE3

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निर्माता भाग

SQ3419AEEV-T1_GE3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
306576
डेटाशीट ऑनलाइन
SQ3419AEEV-T1_GE3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:P-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):40 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:6.9A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):4.5V, 10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:61mOhm @ 2.5A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:12.5 nC @ 4.5 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±12V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:975 pF @ 20 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):5W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:6-TSOP
  • पैकेज / केस:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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