SISS10ADN-T1-GE3

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निर्माता भाग

SISS10ADN-T1-GE3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
28350
डेटाशीट ऑनलाइन
-
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET® Gen IV
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):40 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:31.7A (Ta), 109A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):4.5V, 10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:2.65mOhm @ 15A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.4V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:61 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):+20V, -16V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:3030 pF @ 20 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • पैकेज / केस:PowerPAK® 1212-8S
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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