TK16N60W,S1VF

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निर्माता भाग

TK16N60W,S1VF

उत्पादक
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
3600
डेटाशीट ऑनलाइन
TK16N60W,S1VF PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:DTMOSIV
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):600 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:15.8A (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:190mOhm @ 7.9A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3.7V @ 790µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:38 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±30V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:1350 pF @ 300 V
  • फेट फीचर:Super Junction
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):130W (Tc)
  • परिचालन तापमान:150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-247
  • पैकेज / केस:TO-247-3
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