Name: SI7703EDN-T1-E3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SI7703EDN-T1-E3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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निर्माता भाग: SI7703EDN-T1-E3

उत्पादक: Vishay / Siliconix

विवरण: MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8

श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद

परिवार: ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल

श्रृंखला: -

स्टॉक में: 5000000

डेटाशीट ऑनलाइन: SI7703EDN-T1-E3 PDF

SI7703EDN-T1-E3 सूचना

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श्रृंखला:TrenchFET®
पैकेज:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Active
फेट टाइप:P-Channel
प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):20 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:4.3A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):1.8V, 4.5V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:48mOhm @ 6.3A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 800µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:18 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):±12V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:-
फेट फीचर:Schottky Diode (Isolated)
बिजली अपव्यय (अधिकतम):1.3W (Ta)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® 1212-8
पैकेज / केस:PowerPAK® 1212-8

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