GA20JT12-263

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निर्माता भाग

GA20JT12-263

उत्पादक
GeneSiC Semiconductor
विवरण
TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
134
डेटाशीट ऑनलाइन
GA20JT12-263 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:-
  • प्रौद्योगिकी:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):1200 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:45A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):-
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:60mOhm @ 20A
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:-
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:-
  • वीजीएस (अधिकतम):-
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:3091 pF @ 800 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):282W (Tc)
  • परिचालन तापमान:175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:D2PAK (7-Lead)
  • पैकेज / केस:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
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