SIS407DN-T1-GE3

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निर्माता भाग

SIS407DN-T1-GE3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
1001000
डेटाशीट ऑनलाइन
SIS407DN-T1-GE3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:P-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):20 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:25A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):1.8V, 4.5V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:93.8 nC @ 8 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±8V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:2760 pF @ 10 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® 1212-8
  • पैकेज / केस:PowerPAK® 1212-8
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
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