STP110N8F6

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निर्माता भाग

STP110N8F6

उत्पादक
STMicroelectronics
विवरण
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
59714
डेटाशीट ऑनलाइन
STP110N8F6 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:STripFET™ F6
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):80 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:110A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:6.5mOhm @ 55A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:4.5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:150 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±20V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:9130 pF @ 40 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):200W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-220
  • पैकेज / केस:TO-220-3
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ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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