SIUD412ED-T1-GE3

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निर्माता भाग

SIUD412ED-T1-GE3

उत्पादक
Vishay / Siliconix
विवरण
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
174500
डेटाशीट ऑनलाइन
SIUD412ED-T1-GE3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:TrenchFET®
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):12 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:500mA (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):1.2V, 4.5V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:340mOhm @ 500mA, 4.5V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:900mV @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:0.71 nC @ 4.5 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±5V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:21 pF @ 6 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):1.25W (Ta)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PowerPAK® 0806
  • पैकेज / केस:PowerPAK® 0806
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