SPD02N50C3

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निर्माता भाग

SPD02N50C3

उत्पादक
Rochester Electronics
विवरण
MOSFET N-CH 560V 1.8A TO252-3
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
2250000
डेटाशीट ऑनलाइन
SPD02N50C3 PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:CoolMOS™
  • पैकेज:Bulk
  • भाग की स्थिति:Obsolete
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):560 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:1.8A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:3Ohm @ 1.1A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3.9V @ 80µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:9 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±20V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:190 pF @ 25 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):25W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-TO252-3
  • पैकेज / केस:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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