SCTW90N65G2V

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निर्माता भाग

SCTW90N65G2V

उत्पादक
STMicroelectronics
विवरण
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
9500
डेटाशीट ऑनलाइन
-
जाँच करना
  • श्रृंखला:-
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):650 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:90A (Tc)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):18V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:25mOhm @ 50A, 18V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:5V @ 250µA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:157 nC @ 18 V
  • वीजीएस (अधिकतम):+22V, -10V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:3300 pF @ 400 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):390W (Tc)
  • परिचालन तापमान:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:HiP247™
  • पैकेज / केस:TO-247-3
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
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फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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