SSM6H19NU,LF

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निर्माता भाग

SSM6H19NU,LF

उत्पादक
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
0
डेटाशीट ऑनलाइन
SSM6H19NU,LF PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:U-MOSVII-H
  • पैकेज:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):40 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:2A (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):1.8V, 8V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:185mOhm @ 1A, 8V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.2V @ 1mA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:2.2 nC @ 4.2 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±12V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:130 pF @ 10 V
  • फेट फीचर:-
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):1W (Ta)
  • परिचालन तापमान:150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:6-UDFN (2x2)
  • पैकेज / केस:6-UDFN Exposed Pad
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
शिपिंग विकल्प हम डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, ईएमएस, एसएफ एक्सप्रेस, और पंजीकृत एयर मेल अंतरराष्ट्रीय शिपिंग प्रदान करते हैं।
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