Name: IPB097N08N3G
Brand: Rochester Electronics
SKU: IPB097N08N3G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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निर्माता भाग: IPB097N08N3G

उत्पादक: Rochester Electronics

विवरण: N-CHANNEL POWER MOSFET

श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद

परिवार: ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल

श्रृंखला: -

स्टॉक में: 0

डेटाशीट ऑनलाइन: -

IPB097N08N3G सूचना

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श्रृंखला:*
पैकेज:Bulk
भाग की स्थिति:Active
फेट टाइप:-
प्रौद्योगिकी:-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):-
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):-
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:-
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:-

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:-
वीजीएस (अधिकतम):-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:-
फेट फीचर:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):-
परिचालन तापमान:-
माउन्टिंग का प्रकार:-
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:-
पैकेज / केस:-

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