Name: SIHB12N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB12N65E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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निर्माता भाग: SIHB12N65E-GE3

उत्पादक: Vishay / Siliconix

विवरण: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद

परिवार: ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल

श्रृंखला: -

स्टॉक में: 700000

डेटाशीट ऑनलाइन: SIHB12N65E-GE3 PDF

SIHB12N65E-GE3 सूचना

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श्रृंखला:-
पैकेज:Tube
भाग की स्थिति:Active
फेट टाइप:N-Channel
प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):650 V
करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ 25°c:12A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):10V
rds on (अधिकतम) @ id, vgs:380mOhm @ 6A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:70 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:1224 pF @ 100 V
फेट फीचर:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):156W (Tc)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:D²PAK (TO-263)
पैकेज / केस:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

शिपिंग	प्रसव अवधि	स्टॉक में पुर्जों के लिए, ऑर्डर 3 दिनों में शिप होने का अनुमान है। हम रविवार को छोड़कर दिन में एक बार शाम करीब 5 बजे ऑर्डर शिप करते हैं। एक बार भेज दिए जाने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय आपके द्वारा चुने गए नीचे दिए गए कोरियर पर निर्भर करता है। डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
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