TK31J60W5,S1VQ

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निर्माता भाग

TK31J60W5,S1VQ

उत्पादक
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
श्रेणी
असतत अर्धचालक उत्पाद
परिवार
ट्रांजिस्टर - फेट्स, मस्जिद - सिंगल
श्रृंखला
-
स्टॉक में
0
डेटाशीट ऑनलाइन
TK31J60W5,S1VQ PDF
जाँच करना
  • श्रृंखला:DTMOSIV
  • पैकेज:Tube
  • भाग की स्थिति:Active
  • फेट टाइप:N-Channel
  • प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (vdss):600 V
  • करंट - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25°c:30.8A (Ta)
  • ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम rds पर, न्यूनतम rds चालू):10V
  • rds on (अधिकतम) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
  • वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:3.7V @ 1.5mA
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:105 nC @ 10 V
  • वीजीएस (अधिकतम):±30V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:3000 pF @ 300 V
  • फेट फीचर:Super Junction
  • बिजली अपव्यय (अधिकतम):230W (Tc)
  • परिचालन तापमान:150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार:Through Hole
  • आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:TO-3P(N)
  • पैकेज / केस:TO-3P-3, SC-65-3
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डीएचएल एक्सप्रेस, 3-7 व्यावसायिक दिन
डीएचएल ईकामर्स: 12-22 व्यावसायिक दिन
फेडेक्स अंतर्राष्ट्रीय प्राथमिकता, 3-7 व्यावसायिक दिन
ईएमएस, 10-15 व्यावसायिक दिन
पंजीकृत एयर मेल, 15-30 व्यावसायिक दिन
शिपिंग दर आपके ऑर्डर के लिए शिपिंग दरें शॉपिंग कार्ट में पाई जा सकती हैं।
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